Teile-Nr.

Infineon IGBT / 55 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 188 W, 3-Pin PG-TO247-3

RS Best.-Nr.:: 215-6671
Herst. Teile-Nr.:: IKW30N65H5XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 55 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 188 W, 3-Pin PG-TO247-3

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

CHF.58.92

Auf Lager

30 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
30 - 30	CHF.1.964	CHF.58.97
60 - 120	CHF.1.869	CHF.56.01
150 +	CHF.1.785	CHF.53.68

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 215-6671
Herst. Teile-Nr.:: IKW30N65H5XKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	55 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
	Gate-Source Spannung max.	±20 V, ±30 V
	Verlustleistung max.	188 W
	Gehäusegröße	PG-TO247-3
	Pinanzahl	3

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 55 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 650 V
	Gate-Source Spannung max. ±20 V, ±30 V
	Verlustleistung max. 188 W
	Gehäusegröße PG-TO247-3
	Pinanzahl 3

Datasheet-IKW30N65H5XKSA1

Der isolierte Infineon-650-V-Zweitack-Bipolartransistor ist eine Diode der 5. Generation der Hochgeschwindigkeits-Schaltserie.

Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen

Infineon IGBT / 55 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 188 W, 3-Pin PG-TO247-3

Verwandte Links