Infineon IGBT / 55 A, 650 V 188 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 215-6671
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW30N65H5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 215-6671
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW30N65H5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 55A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 188W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.65V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Länge | 42mm | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 55A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 188W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.65V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.21mm | ||
Länge 42mm | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der isolierte Infineon-650-V-Zweitack-Bipolartransistor ist eine Diode der 5. Generation der Hochgeschwindigkeits-Schaltserie.
Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
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