Infineon IGBT / 62 A ±20V max. , 650 V 188 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 144-1201
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW30N65ES5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 10 - 10 | CHF.2.006 | CHF.20.03 |
| 20 - 40 | CHF.1.901 | CHF.19.04 |
| 50 - 90 | CHF.1.827 | CHF.18.23 |
| 100 - 240 | CHF.1.743 | CHF.17.44 |
| 250 + | CHF.1.628 | CHF.16.23 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 144-1201
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW30N65ES5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 62 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V, ±30V | |
| Verlustleistung max. | 188 W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 30kHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Gate-Kapazität | 1800pF | |
| Nennleistung | 0.88mJ | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 62 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V, ±30V | ||
Verlustleistung max. 188 W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 30kHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 16.13 x 5.21 x 21.1mm | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Gate-Kapazität 1800pF | ||
Nennleistung 0.88mJ | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Infineon TrenchStop IGBT-Transistoren, 600 und 650 V
Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 600 und 650 V mit TrenchStop™-Technologie. Das Angebot umfasst Geräte mit integrierter hoher Geschwindigkeit, kurze Erholzeit, antiparallel geschalteter Diode.
• Kollektor-Emitter – Spannungsbereich 600 bis 650 V
• Sehr geringer VCEsat
• Niedrige Abschaltverluste
• Kurzer Deaktivierungsstrom
• Geringe elektromagnetische Störungen
• Maximale Verbindungstemperatur 175°C
• Sehr geringer VCEsat
• Niedrige Abschaltverluste
• Kurzer Deaktivierungsstrom
• Geringe elektromagnetische Störungen
• Maximale Verbindungstemperatur 175°C
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
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