Teile-Nr.

Infineon IGBT / 74 A 30V max. , 650 V 255 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal

RS Best.-Nr.:: 226-6114
Herst. Teile-Nr.:: IKW40N65F5FKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 74 A 30V max. , 650 V 255 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

CHF.86.94

Auf Lager

660 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
30 - 30	CHF.2.898	CHF.86.81
60 - 120	CHF.2.751	CHF.82.50
150 - 270	CHF.2.636	CHF.79.00
300 - 570	CHF.2.52	CHF.75.54
600 +	CHF.2.342	CHF.70.34

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 226-6114
Herst. Teile-Nr.:: IKW40N65F5FKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	74 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
	Gate-Source Spannung max.	30V
	Anzahl an Transistoren	1
	Verlustleistung max.	255 W
	Gehäusegröße	PG-TO247
	Konfiguration	Single
	Channel-Typ	N
	Pinanzahl	3

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 74 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 650 V
	Gate-Source Spannung max. 30V
	Anzahl an Transistoren 1
	Verlustleistung max. 255 W
	Gehäusegröße PG-TO247
	Konfiguration Single
	Channel-Typ N
	Pinanzahl 3

Datasheet - IKW40N65F5FKSA1

Der Infineon IKW40N65F5 ist ein 650-V-Hochgeschwindigkeits-IGBT mit harter Schaltgeschwindigkeit, der mit der Rapid-i-Dioden-Technologie zusammengeschaltet wird. Es hat eine höhere Leistungsdichte und verfügt über niedrige CoEs/EOSS.

Faktor 2,5 niedriger Qg
Reduzierung der Schaltverluste um Faktor 2
200 mV Reduzierung des VCEsat

Infineon IGBT / 74 A 30V max. , 650 V 255 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal

Verwandte Links