Infineon IGBT / 74 A, 650 V 255 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 226-6114
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW40N65F5FKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF.63.03
Auf Lager
- 630 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF.2.101 | CHF.62.90 |
| 60 - 120 | CHF.1.99 | CHF.59.75 |
| 150 - 270 | CHF.1.909 | CHF.57.24 |
| 300 - 570 | CHF.1.828 | CHF.54.72 |
| 600 + | CHF.1.697 | CHF.50.97 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 226-6114
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW40N65F5FKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 74A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 255W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 30 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Länge | 42mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 74A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 255W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 30 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 5.21mm | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Länge 42mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IKW40N65F5 ist ein 650-V-Hochgeschwindigkeits-IGBT mit harter Schaltgeschwindigkeit, der mit der Rapid-i-Dioden-Technologie zusammengeschaltet wird. Es hat eine höhere Leistungsdichte und verfügt über niedrige CoEs/EOSS.
Faktor 2,5 niedriger Qg
Reduzierung der Schaltverluste um Faktor 2
200 mV Reduzierung des VCEsat
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 74 A, 650 V 255 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 74 A, 650 V 255 W, 3-Pin TO-220 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 74 A, 650 V 250 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 74 A, 650 V 333 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Oberfläche
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 74 A, 650 V 250 W, 3-Pin TO-247 Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 74 A, 650 V 250 W, 3-Pin TO-220 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 80 A, 650 V 274 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 75 A, 650 V 536 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage