Infineon IGBT / 80 A, 650 V 275 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
226-6118
Herst. Teile-Nr.:
IKW50N65EH5XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

80A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

275W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

N

Pinanzahl

3

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

30 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.65V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

41.42mm

Normen/Zulassungen

JEDEC

Serie

High Speed Fifth Generation

Breite

16.13mm

Automobilstandard

Nein

Hochgeschwindigkeits-IGBT der fünften Generation von Infineon, maximale Kollektor-Emitter-Spannung 650 V, maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom 80 A – IKW50N65EH5XKSA1


Dieser IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät, das zum Schalten und Steuern von Hochspannungs- und Hochstromlasten in elektronischen Leistungssystemen entwickelt wurde. Er ist für Anwendungen vorgesehen, die einen robusten Temperaturbereich und eine hohe Dauerstrombelastbarkeit erfordern, und wird in einem TO-247-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das für herkömmliche Montage und Kühlkörper geeignet ist.

Merkmale und Vorteile:


• Die Kollektor-Emitter-Bewertung von 650 V ermöglicht die Handhabung von Hochspannungsschaltkreisen
• 80 A kontinuierlicher Kollektorstrom unterstützt große belastungsgesteuerte Anwendungen
• 1,65 V Vce(sat) reduziert Leitungsverluste bei hohem Stromfluss
• Die Verlustleistung von 275 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung im Einsatz
• 30-V-Gate-Emitter-Maximum ermöglicht starke Gate-Drive-Margen
• Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 175 °C für breite Umgebungstemperaturen

Anwendungsbereich


• Geeignet für Wechselrichterstufen in industriellen Antrieben
• Ideal für Hochspannungs-Leistungsumwandlungsmodule
• Wird mit großen Motorsteuerungen verwendet, die einen hohen Strom erfordern
• Kann für Schaltnetzteile in Hochleistungssystemen verwendet werden
• Geeignet für rackmontierte Leistungselektronik mit Durchsteckmontage

Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode wird verwendet?


Er wird in einem TO-247-Gehäuse geliefert und ist für die Durchsteckmontage konzipiert.

Welche Verriegelungsgrenzwerte muss ich beachten, um Schäden zu vermeiden?


Die Gate-Emitter-Spannung darf unter keinen Betriebsbedingungen 30 V überschreiten.

Wie verhält es sich bei hohen Umgebungstemperaturen?


Er ist für den Betrieb bei bis zu 175 °C ausgelegt, wobei die angegebene Verlustleistung bis zu 275 W beträgt, um die thermische Belastung zu bewältigen.

Ist sie für Kfz-Standard-Designs geeignet?


Es ist nicht nach Automobilstandards klassifiziert und sollte nicht als konform für diese Anwendungen angesehen werden.

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