Teile-Nr.

Infineon IGBT / 80 A 30V max. , 650 V 275 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal

RS Best.-Nr.:: 226-6118
Herst. Teile-Nr.:: IKW50N65EH5XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 80 A 30V max. , 650 V 275 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal

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2 - 8	CHF.5.649	CHF.11.29
10 - 18	CHF.5.082	CHF.10.16
20 - 48	CHF.4.746	CHF.9.48
50 - 98	CHF.4.41	CHF.8.81
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RS Best.-Nr.:: 226-6118
Herst. Teile-Nr.:: IKW50N65EH5XKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	80 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
	Gate-Source Spannung max.	30V
	Anzahl an Transistoren	1
	Verlustleistung max.	275 W
	Gehäusegröße	PG-TO247
	Konfiguration	Single
	Channel-Typ	N
	Pinanzahl	3

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 80 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 650 V
	Gate-Source Spannung max. 30V
	Anzahl an Transistoren 1
	Verlustleistung max. 275 W
	Gehäusegröße PG-TO247
	Konfiguration Single
	Channel-Typ N
	Pinanzahl 3

Datasheet - IKW50N65EH5XKSA1

Der Infineon IKW50N65EH5 ist ein 650-V-Hochgeschwindigkeits-IGBT mit harter Schaltgeschwindigkeit, der mit der Rapid-i-Dioden-Technologie zusammengeschaltet wird. Es hat eine höhere Leistungsdichte und verfügt über niedrige CoEs/EOSS.

Faktor 2,5 niedriger Qg
Reduzierung der Schaltverluste um Faktor 2
200 mV Reduzierung des VCEsat

Infineon IGBT / 80 A 30V max. , 650 V 275 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal

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