Infineon IGBT / 80 A, 650 V 275 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 226-6118
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N65EH5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.5.434 | CHF.10.86 |
| 10 - 18 | CHF.4.888 | CHF.9.78 |
| 20 - 48 | CHF.4.565 | CHF.9.12 |
| 50 - 98 | CHF.4.242 | CHF.8.47 |
| 100 + | CHF.3.909 | CHF.7.82 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 226-6118
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N65EH5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 80A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 275W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.65V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Länge | 41.42mm | |
| Breite | 16.13 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 80A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 275W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 30 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.65V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Länge 41.42mm | ||
Breite 16.13 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IKW50N65EH5 ist ein 650-V-Hochgeschwindigkeits-IGBT mit harter Schaltgeschwindigkeit, der mit der Rapid-i-Dioden-Technologie zusammengeschaltet wird. Es hat eine höhere Leistungsdichte und verfügt über niedrige CoEs/EOSS.
Faktor 2,5 niedriger Qg
Reduzierung der Schaltverluste um Faktor 2
200 mV Reduzierung des VCEsat
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