Infineon Rückwärtsleitender IGBT / 80 A, 650 V 282 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.6.10

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 2 Einheit(en) mit Versand ab 23. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18CHF.3.05CHF.6.11
20 - 48CHF.2.757CHF.5.52
50 - 98CHF.2.565CHF.5.14
100 - 198CHF.2.384CHF.4.77
200 +CHF.1.525CHF.3.05

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
215-6646
Herst. Teile-Nr.:
IHW50N65R5XKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

80A

Produkt Typ

Rückwärtsleitender IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

282W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.35V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

Resonant Switching

Normen/Zulassungen

Pb-free lead plating, RoHS, JESD-022

Automobilstandard

Nein

Der Infineon Reverse-leitfähige bipolare Transistor mit isoliertem Gate und monolithischer Gehäusediode.

Hoher Wirkungsgrad

Niedrige Schaltverluste

Erhöhte Zuverlässigkeit

Geringe elektromagnetische Störungen

Verwandte Links