Teile-Nr.

Infineon IGBT / 80 A ±20V max., 650 V 282 W, 3-Pin PG-TO247-3

RS Best.-Nr.:: 215-6646
Herst. Teile-Nr.:: IHW50N65R5XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 80 A ±20V max., 650 V 282 W, 3-Pin PG-TO247-3

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.6.826

Begrenzter Lagerbestand

Zusätzlich 2 Einheit(en) mit Versand ab 29. Dezember 2025

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 18	CHF.3.413	CHF.6.83
20 - 48	CHF.3.066	CHF.6.14
50 - 98	CHF.2.867	CHF.5.73
100 - 198	CHF.2.667	CHF.5.32
200 +	CHF.1.701	CHF.3.41

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 215-6646
Herst. Teile-Nr.:: IHW50N65R5XKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	80 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
	Gate-Source Spannung max.	±20V
	Verlustleistung max.	282 W
	Gehäusegröße	PG-TO247-3
	Pinanzahl	3

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 80 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 650 V
	Gate-Source Spannung max. ±20V
	Verlustleistung max. 282 W
	Gehäusegröße PG-TO247-3
	Pinanzahl 3

Datasheet-IHW50N65R5XKSA1

Der Infineon Reverse-leitfähige bipolare Transistor mit isoliertem Gate und monolithischer Gehäusediode.

Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen

Infineon IGBT / 80 A ±20V max., 650 V 282 W, 3-Pin PG-TO247-3

Verwandte Links