Teile-Nr.

Infineon IGBT / 83 A ±20V max., 650 V 251 W, 3-Pin PG-TO247-3

RS Best.-Nr.:: 225-0575
Herst. Teile-Nr.:: IHW50N65R6XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 83 A ±20V max., 650 V 251 W, 3-Pin PG-TO247-3

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RS Best.-Nr.:: 225-0575
Herst. Teile-Nr.:: IHW50N65R6XKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	83 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
	Gate-Source Spannung max.	±20V
	Verlustleistung max.	251 W
	Gehäusegröße	PG-TO247-3
	Pinanzahl	3

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 83 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 650 V
	Gate-Source Spannung max. ±20V
	Verlustleistung max. 251 W
	Gehäusegröße PG-TO247-3
	Pinanzahl 3

Datasheet-IHW50N65R6XKSA1

Der Infineon IHW50N65R6 ist der 650-V-, 50-A-IGBT mit monolithisch integrierter Diode im TO-247-Gehäuse mit monolithisch integrierter Diode, der die anspruchsvollen Anforderungen von Induktionsheizungsanwendungen mit Halbbrücken-Resonanztopologie erfüllt.

Frequenzbereich: 20-75 kHz
Geringe elektromagnetische Störungen
Sehr enge Parameter Verteilung
Maximaler TJ-Betrieb von 175 °C.

Infineon IGBT / 83 A ±20V max., 650 V 251 W, 3-Pin PG-TO247-3

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