Teile-Nr.

Infineon IGBT / 65 A ±30V max., 650 V 160 W, 3-Pin PG-TO247-3

RS Best.-Nr.:: 225-0571
Herst. Teile-Nr.:: IHW30N65R6XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 65 A ±30V max., 650 V 160 W, 3-Pin PG-TO247-3

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Stück	Pro Stück	Pro Stange*
240 - 240	CHF.1.439	CHF.344.74
480 - 480	CHF.1.365	CHF.327.60
720 +	CHF.1.281	CHF.306.94

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 225-0571
Herst. Teile-Nr.:: IHW30N65R6XKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	65 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
	Gate-Source Spannung max.	±30V
	Verlustleistung max.	160 W
	Gehäusegröße	PG-TO247-3
	Pinanzahl	3

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 65 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 650 V
	Gate-Source Spannung max. ±30V
	Verlustleistung max. 160 W
	Gehäusegröße PG-TO247-3
	Pinanzahl 3

Datasheet-IHW30N65R6XKSA1

Der Infineon IHW30N65R6 ist der 650-V-, 30-A-IGBT mit monolithisch integrierter Diode im TO-247-Gehäuse mit monolithisch integrierter Diode, der die anspruchsvollen Anforderungen von Induktionsheizungsanwendungen mit Halbbrücken-Resonanztopologie erfüllt.

Hohe Robustheit und stabiles Temperaturverhalten
Geringe elektromagnetische Störungen
Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform
Leistungsstarke monolithische, reversalende Diode mit niedriger Durchlassspannung

Infineon IGBT / 65 A ±30V max., 650 V 160 W, 3-Pin PG-TO247-3

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