Infineon Rückwärtsleitender IGBT / 65 A, 650 V 160 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
225-0572
Herst. Teile-Nr.:
IHW30N65R6XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

65A

Produkt Typ

Rückwärtsleitender IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

160W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.6V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±30 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

41.9mm

Serie

IHW30N65R6

Normen/Zulassungen

JEDEC47/20/22

Höhe

5.3mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon IHW30N65R6 ist der 650-V-, 30-A-IGBT mit monolithisch integrierter Diode im TO-247-Gehäuse mit monolithisch integrierter Diode, der die anspruchsvollen Anforderungen von Induktionsheizungsanwendungen mit Halbbrücken-Resonanztopologie erfüllt.

Hohe Robustheit und stabiles Temperaturverhalten

Geringe elektromagnetische Störungen

Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform

Leistungsstarke monolithische, reversalende Diode mit niedriger Durchlassspannung

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