Infineon Rückwärtsleitender IGBT / 65 A, 650 V 160 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 225-0572
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N65R6XKSA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF 3.323 | CHF 16.60 |
| 25 - 45 | CHF 2.99 | CHF 14.93 |
| 50 - 120 | CHF 2.788 | CHF 13.93 |
| 125 - 245 | CHF 2.586 | CHF 12.93 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 225-0572
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW30N65R6XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 65A | |
| Produkt Typ | Rückwärtsleitender IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 160W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.6V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 41.9mm | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22 | |
| Breite | 16.3mm | |
| Serie | IHW30N65R6 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 65A | ||
Produkt Typ Rückwärtsleitender IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 160W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.6V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 41.9mm | ||
Höhe 5.3mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22 | ||
Breite 16.3mm | ||
Serie IHW30N65R6 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IHW30N65R6 ist der 650-V-, 30-A-IGBT mit monolithisch integrierter Diode im TO-247-Gehäuse mit monolithisch integrierter Diode, der die anspruchsvollen Anforderungen von Induktionsheizungsanwendungen mit Halbbrücken-Resonanztopologie erfüllt.
Hohe Robustheit und stabiles Temperaturverhalten
Geringe elektromagnetische Störungen
Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform
Leistungsstarke monolithische, reversalende Diode mit niedriger Durchlassspannung
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