Infineon Verlustarmer IGBT / 15 A, 600 V 130 W TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 242-0976
- Herst. Teile-Nr.:
- IGP15N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.1.932 | CHF.3.85 |
| 10 - 18 | CHF.1.827 | CHF.3.67 |
| 20 - 48 | CHF.1.659 | CHF.3.32 |
| 50 - 98 | CHF.1.491 | CHF.2.98 |
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- RS Best.-Nr.:
- 242-0976
- Herst. Teile-Nr.:
- IGP15N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Verlustarmer IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 15A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 130W | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | TRENCHSTOPTM | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC1 | |
| Länge | 29.95mm | |
| Breite | 10.36 mm | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Verlustarmer IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 15A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 130W | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie TRENCHSTOPTM | ||
Normen/Zulassungen JEDEC1 | ||
Länge 29.95mm | ||
Breite 10.36 mm | ||
Höhe 4.57mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 600 V, 15 A IGBTs-Transistor von Infineon hat einen maximalen kontinuierlichen Kollektorstrom von 26 A. Die maximale Sperrschichttemperatur beträgt 175 °C. Er verfügt über den höchsten Wirkungsgrad, niedrige Leitungs- und Schaltverluste, umfassendes Portfolio in 600 V und 1200 V für Designflexibilität und hohe Gerätezuverlässigkeit.
Antiparallele, emittergesteuerte Diode mit sehr weicher, schneller Erholung
Hohe Robustheit, temperaturbeständiges Verhalten
Niedrige elektromagnetische Emissionen
Niedrige Gate-Ladung
Sehr enge Parameterverteilung
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