Teile-Nr.

Infineon Verlustarmer IGBT / 15 A, 600 V 130 W TO-220

RS Best.-Nr.:: 242-0976
Herst. Teile-Nr.:: IGP15N60TXKSA1
Marke:: Infineon

Infineon Verlustarmer IGBT / 15 A, 600 V 130 W TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 242-0976
Herst. Teile-Nr.:: IGP15N60TXKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic	15A
	Produkt Typ	Verlustarmer IGBT
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	600V
	Maximale Verlustleistung Pd	130W
	Gehäusegröße	TO-220
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT	1.5V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	±20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	29.95mm
	Breite	10.36 mm
	Höhe	4.57mm
	Normen/Zulassungen	JEDEC1
	Serie	TRENCHSTOPTM
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 15A
	Produkt Typ Verlustarmer IGBT
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V
	Maximale Verlustleistung Pd 130W
	Gehäusegröße TO-220
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.5V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 29.95mm
	Breite 10.36 mm
	Höhe 4.57mm
	Normen/Zulassungen JEDEC1
	Serie TRENCHSTOPTM
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IGP15N60TXKSA1

Der 600 V, 15 A IGBTs-Transistor von Infineon hat einen maximalen kontinuierlichen Kollektorstrom von 26 A. Die maximale Sperrschichttemperatur beträgt 175 °C. Er verfügt über den höchsten Wirkungsgrad, niedrige Leitungs- und Schaltverluste, umfassendes Portfolio in 600 V und 1200 V für Designflexibilität und hohe Gerätezuverlässigkeit.

Antiparallele, emittergesteuerte Diode mit sehr weicher, schneller Erholung

Hohe Robustheit, temperaturbeständiges Verhalten

Niedrige elektromagnetische Emissionen

Niedrige Gate-Ladung

Sehr enge Parameterverteilung

Infineon Verlustarmer IGBT / 15 A, 600 V 130 W TO-220

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