Teile-Nr.

Infineon IGBT-Modul / 150 A +/-20V max. 6-fach, 1200 V 750 W

RS Best.-Nr.:: 244-5407
Herst. Teile-Nr.:: FS150R12KT4B11BOSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT-Modul / 150 A +/-20V max. 6-fach, 1200 V 750 W

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RS Best.-Nr.:: 244-5407
Herst. Teile-Nr.:: FS150R12KT4B11BOSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	150 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	1200 V
	Gate-Source Spannung max.	+/-20V
	Verlustleistung max.	750 W
	Anzahl an Transistoren	6

Datasheet - FS150R12KT4B11BOSA1

Das Infineon IGBT-Modul hat einen maximalen Nennwert von wiederholtem Peak Kollektor-Strom von 300 A und eine Kollektor-Emitter-Sättigungsvoltag von 2,10 V, Gate-Schwellenspannung von 6,4 V.

Kollektor-Emitter-Abschaltstrom 1,0 mA
Temperatur unter Schaltbedingungen 150 °C.
Gate-Emitter-Leckstrom 100 nA
Umgekehrte Übertragungskapazität NF

Infineon IGBT-Modul / 150 A +/-20V max. 6-fach, 1200 V 750 W

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