Infineon IGBT-Modul / 150 A, 1200 V 750 W

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RS Best.-Nr.:
244-5407
Herst. Teile-Nr.:
FS150R12KT4B11BOSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Modul

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

150A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Anzahl an Transistoren

6

Maximale Verlustleistung Pd

750W

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.1V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Serie

FS

Automobilstandard

Nein

Das Infineon IGBT-Modul hat einen maximalen Nennwert von wiederholtem Peak Kollektor-Strom von 300 A und eine Kollektor-Emitter-Sättigungsvoltag von 2,10 V, Gate-Schwellenspannung von 6,4 V.

Kollektor-Emitter-Abschaltstrom 1,0 mA

Temperatur unter Schaltbedingungen 150 °C.

Gate-Emitter-Leckstrom 100 nA

Umgekehrte Übertragungskapazität NF

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