Infineon IGBT / 200 A, 750 V TO-247

RS Best.-Nr.:: 248-6657
Herst. Teile-Nr.:: AIKQ200N75CP2XKSA1
Marke:: Infineon

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RS Best.-Nr.:: 248-6657
Herst. Teile-Nr.:: AIKQ200N75CP2XKSA1
Marke:: Infineon

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic	200A
	Produkt Typ	IGBT
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	750V
	Gehäusegröße	TO-247
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT	1.3V
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	±20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	15.9 mm
	Länge	41.2mm
	Höhe	5.1mm
	Normen/Zulassungen	AEC-Q101
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 200A
	Produkt Typ IGBT
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 750V
	Gehäusegröße TO-247
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.3V
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 15.9 mm
	Länge 41.2mm
	Höhe 5.1mm
	Normen/Zulassungen AEC-Q101
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - AIKQ200N75CP2XKSA1

Infineons Automotive IGBT Discrete ist ein EDT2 IGBT mit einer Co-Packed-Diode im TO247PLUS-Gehäuse. Die EDT2-Technologie verfügt über eine extrem enge Parameterverteilung und einen positiven thermischen Koeffizienten, was einen einfachen Parallelbetrieb ermöglicht und so für Systemflexibilität und Leistungsskalierbarkeit sorgt. Die 750-V-EDT-Technologie verbessert die Energieeffizienz und den Kühlaufwand für Hochspannungsanwendungen im Automobilbereich erheblich, indem sie Batteriespannungen bis zu 470 V und sicheres, schnelles Schalten aufgrund erhöhter Überspannungsspannen ermöglicht und so leistungsstarke Umrichtersysteme ermöglicht.

Selbstbegrenzender Strom unter Kurzschlussbedingungen

Positiver thermischer Koeffizient und sehr enge Parameterverteilung für einfache Parallelschaltung

Ausgezeichnete Stromaufteilung im Parallelbetrieb

Gleichmäßiges Schaltverhalten, geringe EMI-Signatur

Geringe Gate-Ladung

Einfaches Gate-Drive-Design

Hohe Zuverlässigkeit

Infineon IGBT / 200 A, 750 V TO-247

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