Infineon IGBT / 200 A 15V max. Triple, 750 V 1,07 kW TO247PLUS
- RS Best.-Nr.:
- 248-6657
- Herst. Teile-Nr.:
- AIKQ200N75CP2XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | CHF.20.70 |
| 5 - 9 | CHF.19.68 |
| 10 - 24 | CHF.18.84 |
| 25 - 49 | CHF.18.02 |
| 50 + | CHF.16.78 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 248-6657
- Herst. Teile-Nr.:
- AIKQ200N75CP2XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 200 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 750 V | |
| Gate-Source Spannung max. | 15V | |
| Verlustleistung max. | 1,07 kW | |
| Anzahl an Transistoren | 3 | |
| Gehäusegröße | TO247PLUS | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 200 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 750 V | ||
Gate-Source Spannung max. 15V | ||
Verlustleistung max. 1,07 kW | ||
Anzahl an Transistoren 3 | ||
Gehäusegröße TO247PLUS | ||
Infineons Automotive IGBT Discrete ist ein EDT2 IGBT mit einer Co-Packed-Diode im TO247PLUS-Gehäuse. Die EDT2-Technologie verfügt über eine extrem enge Parameterverteilung und einen positiven thermischen Koeffizienten, was einen einfachen Parallelbetrieb ermöglicht und so für Systemflexibilität und Leistungsskalierbarkeit sorgt. Die 750-V-EDT-Technologie verbessert die Energieeffizienz und den Kühlaufwand für Hochspannungsanwendungen im Automobilbereich erheblich, indem sie Batteriespannungen bis zu 470 V und sicheres, schnelles Schalten aufgrund erhöhter Überspannungsspannen ermöglicht und so leistungsstarke Umrichtersysteme ermöglicht.
Selbstbegrenzender Strom unter Kurzschlussbedingungen
Positiver thermischer Koeffizient und sehr enge Parameterverteilung für einfache Parallelschaltung
Ausgezeichnete Stromaufteilung im Parallelbetrieb
Gleichmäßiges Schaltverhalten, geringe EMI-Signatur
Geringe Gate-Ladung
Einfaches Gate-Drive-Design
Hohe Zuverlässigkeit
Positiver thermischer Koeffizient und sehr enge Parameterverteilung für einfache Parallelschaltung
Ausgezeichnete Stromaufteilung im Parallelbetrieb
Gleichmäßiges Schaltverhalten, geringe EMI-Signatur
Geringe Gate-Ladung
Einfaches Gate-Drive-Design
Hohe Zuverlässigkeit
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