Infineon IGBT, 1200 V 20 mW

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RS Best.-Nr.:
253-9815
Herst. Teile-Nr.:
FF900R12ME7WB11BPSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.8V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

152mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

FF900R12ME7WB11

Breite

62 mm

Höhe

17mm

Automobilstandard

Nein

Die Serie FF900 von Infineon ist ein EconoDUAL 3-Modul mit IGBT und emittergesteuerter Diode und NTC.

Integrierter Temperatursensor VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizienten Hohe Leistungsdichte Isolierte Grundplatte PressFIT-Kontakttechnologie Standardgehäuse Direktgekühlte Grundplatte

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