Infineon IGBT, 1200 V 20 mW

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RS Best.-Nr.:
253-9829
Herst. Teile-Nr.:
FP200R12N3T7B11BPSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

62.5 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

FP200R12N3T7B11B

Länge

122mm

Höhe

17mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon FP200bis ist ein EconoPIM 3-Modul mit IGBT und emittergesteuerter Diode und NTC.

Überlastbetrieb bis zu 175 °C Niedriger VCEsat Integrierter NTC-Temperatursensor PressFIT-Kontakttechnologie Kupfer-Sockelplatte

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