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Infineon IGBT, 1200 V 20 mW

Name: Infineon IGBT, 1200 V 20 mW
Brand: Infineon
SKU: 253-9830
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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	IGBT
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	1200V
	Maximale Verlustleistung Pd	20mW
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	122mm
	Serie	FP200R12N3T7B11B
	Breite	62.5mm
	Höhe	17mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ IGBT
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V
	Maximale Verlustleistung Pd 20mW
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 122mm
	Serie FP200R12N3T7B11B
	Breite 62.5mm
	Höhe 17mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Das Infineon FP200bis ist ein EconoPIM 3-Modul mit IGBT und emittergesteuerter Diode und NTC.

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