Infineon IGBT, 1200 V 20 mW

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253-9830
Herst. Teile-Nr.:
FP200R12N3T7B11BPSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

FP200R12N3T7B11B

Höhe

17mm

Länge

122mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon FP200bis ist ein EconoPIM 3-Modul mit IGBT und emittergesteuerter Diode und NTC.

Überlastbetrieb bis zu 175 °C Niedriger VCEsat Integrierter NTC-Temperatursensor PressFIT-Kontakttechnologie Kupfer-Sockelplatte

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