Infineon IGBT, 1200 V 20 mW

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.57.75

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 12 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 1CHF.57.75
2 - 4CHF.54.86
5 - 9CHF.52.54
10 - 19CHF.50.25
20 +CHF.47.93

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
253-9855
Herst. Teile-Nr.:
FS50R12N2T7B15BPSA2
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.8V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

FS50R12N2T7B15B

Länge

107.5mm

Breite

45 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

17mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon FS50 ist ein EconoPACK 2-Modul mit IGBT und emittergesteuerter Diode und NTC.

Niedriger VCEsat-Überlastbetrieb bis zu 175 °C Hohe Leistungs- und Wärmezyklusfähigkeit Integrierter NTC-Temperatursensor Kupfer-Basisplatte Lötkontakttechnologie Standardgehäuse

Verwandte Links