Infineon IGBT / 40 A, 650 V 230.8 W, 3-Pin PG-TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 258-1016
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW40N65ET7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 258-1016
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW40N65ET7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 40A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 230.8W | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.65V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 41.9mm | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Serie | IKW40N65ET7 | |
| Breite | 16.3 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 40A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 230.8W | ||
Gehäusegröße PG-TO-247 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.65V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 41.9mm | ||
Höhe 5.3mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Serie IKW40N65ET7 | ||
Breite 16.3 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der hartschaltbare TRENCHSTOP IGBT7 von Infineon, 650 V, 40 A, diskret in TO-247-Gehäuse mit weicher EC7-Diode im Inneren. Diese preisoptimierte Leistungsserie bietet eine erstklassige Steuerbarkeit für bessere elektromagnetische Störungen, während die Schaltverluste niedriger sind als bei früheren Technologien.
Geringe Abschaltverluste
Kurzer Anschlussstrom
Geringere elektromagnetische Störungen
Feuchtigkeitsbeständiges Design
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