Infineon IGBT-Transistormodul / 90 A ±20V max. Triple, 600 V 333 W PG-TO220-3
- RS Best.-Nr.:
- 259-1524
- Herst. Teile-Nr.:
- IGP50N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.2.867 | CHF.143.43 |
| 100 - 200 | CHF.2.73 | CHF.136.24 |
| 250 + | CHF.2.552 | CHF.127.63 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 259-1524
- Herst. Teile-Nr.:
- IGP50N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 90 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 333 W | |
| Anzahl an Transistoren | 3 | |
| Gehäusegröße | PG-TO220-3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 90 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 333 W | ||
Anzahl an Transistoren 3 | ||
Gehäusegröße PG-TO220-3 | ||
Der IGBT mit geringem Verlust von Infineon verfügt über eine einfache parallele Schaltfunktion aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten in Vcesat. Es verfügt über eine hohe Robustheit und ein temperaturstabiles Verhalten. Es handelt sich um eine sehr weiche, schnell erholbare, antiparallel-emittergesteuerte Diode.
Maximale Anschlusstemperatur: 175 °C
Kurzschlussbeständigkeit 5 Mikrosekunden
Niedrige elektromagnetische Störungen
Niedrige Gate-Ladung
Sehr enge Parameterverteilung
Kurzschlussbeständigkeit 5 Mikrosekunden
Niedrige elektromagnetische Störungen
Niedrige Gate-Ladung
Sehr enge Parameterverteilung
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