Infineon IGBT-Modul / 50 A, 600 V 333 W TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 259-1524
- Herst. Teile-Nr.:
- IGP50N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 2.677 | CHF 133.93 |
| 100 - 200 | CHF 2.545 | CHF 127.26 |
| 250 + | CHF 2.384 | CHF 119.18 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 259-1524
- Herst. Teile-Nr.:
- IGP50N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 50A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | TRENCHSTOPTM | |
| Länge | 29.95mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC1 | |
| Breite | 10.36mm | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 50A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie TRENCHSTOPTM | ||
Länge 29.95mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC1 | ||
Breite 10.36mm | ||
Höhe 4.57mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der IGBT mit geringem Verlust von Infineon verfügt über eine einfache parallele Schaltfunktion aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten in Vcesat. Es verfügt über eine hohe Robustheit und ein temperaturstabiles Verhalten. Es handelt sich um eine sehr weiche, schnell erholbare, antiparallel-emittergesteuerte Diode.
Maximale Anschlusstemperatur: 175 °C
Kurzschlussbeständigkeit 5 Mikrosekunden
Niedrige elektromagnetische Störungen
Niedrige Gate-Ladung
Sehr enge Parameterverteilung
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