Infineon IGBT-Modul / 80 A, 650 V 305 W, 3-Pin PG-TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 259-1533
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N65F5FKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (2 Stück, in einer Packung mit 2)*
CHF 10.16
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF 5.08 | CHF 10.16 |
| 10 - 18 | CHF 4.474 | CHF 8.95 |
| 20 - 48 | CHF 4.222 | CHF 8.44 |
| 50 - 98 | CHF 3.919 | CHF 7.83 |
| 100 + | CHF 3.616 | CHF 7.22 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 259-1533
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N65F5FKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 80A | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 305W | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 ±30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC, RoHS | |
| Länge | 41.42mm | |
| Serie | IKW | |
| Breite | 16.13mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 80A | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 305W | ||
Gehäusegröße PG-TO-247 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 ±30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC, RoHS | ||
Länge 41.42mm | ||
Serie IKW | ||
Breite 16.13mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Hochgeschwindigkeits-Hard-Switching-IGBT von Infineon ist mit der RAPID 1 schnellen und weichen Anti-Parallel-Diode in einem TO-247-Gehäuse verpackt, definiert als "best-in-class" IGBT. Er hat den besten Wirkungsgrad in seiner Klasse, was zu einer niedrigeren Anschluss- und Gehäusetemperatur führt, was zu einer höheren Gerätezuverlässigkeit führt. 50-V-Erhöhung der Busspannung möglich, ohne die Zuverlässigkeit zu beeinträchtigen.
Durchgangsspannung: 650 V
Im Vergleich zur besten HighSpeed 3-Familie
Faktor 2,5 niedriger Qg
Reduzierung der Schaltverluste um den Faktor 2
200 mV Reduzierung bei VCEsat
Mitgepackt mit Rapid Si-Diode-Technologie
Niedrige COES/EOSS
Leichter positiver Temperaturkoeffizient VCEsa
Verwandte Links
- Infineon IGBT-Modul / 50 A, 650 V 305 W, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT-Modul / 75 A, 650 V 395 W PG-TO-247
- Infineon IGBT-Modul / 40 A, 650 V 250 W, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT-Modul / 80 A, 650 V 274 W, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT, 650 V 185 W, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT / 40 A, 650 V 250 W, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT / 50 A, 650 V 282 W, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT / 40 A, 650 V 230.8 W, 3-Pin PG-TO-247