Infineon IGBT / 50 A, 1200 V 652 W, 3-Pin TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.7.875

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 30. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 9CHF.7.88
10 - 24CHF.7.49
25 - 49CHF.7.32
50 - 99CHF.6.86
100 +CHF.6.37

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
260-5094
Herst. Teile-Nr.:
IKQ50N120CH3XKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

50A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

652W

Gehäusegröße

TO-247

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

5.1mm

Länge

41.2mm

Breite

15.9 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Hard Switching-Hochgeschwindigkeits-IGBT3 von Infineon in einem TO247 PLUS-Gehäuse mit einer weichen und schnellen Wiederherstellungsdiode mit antiparallelem Emitter-gesteuerter Vollstrom.

Hoher Wirkungsgrad in harten Schalt- und Resonanztopologien

Einfache Parallelverbindung dank des positiven Temperaturkoeffizienten in VCEsat

Niedrige Gate-Ladung QG

Verwandte Links