Infineon IGBT / 86 A, 1200 V 398 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 273-2979
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N120CH7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF 4.05 | CHF 121.53 |
| 60 + | CHF 3.737 | CHF 112.17 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-2979
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N120CH7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 86A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 398W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 21.1mm | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Serie | IKW | |
| Breite | 16.13mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, JEDEC47/20/22 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 86A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 398W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 21.1mm | ||
Höhe 5.21mm | ||
Serie IKW | ||
Breite 16.13mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, JEDEC47/20/22 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IGBT7 Die diskrete H7-Technologie in TO-247 3-poligem Gehäuse wurde entwickelt, um die Anforderungen in Anwendungen, die sich auf die Dekarbonisierung konzentrieren, wie z. B. Solar-Photovoltaik, Unterbrechungsnetzteile und Akkuladegeräte.
Optimierte Leistung unter Anwendungsbedingungen
Feuchtigkeitsbeständigkeit unter rauen Umgebungen
Verbesserte EMI-Leistung
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