Infineon IGBT / 20 A, 650 V 150 W, 3-Pin PG-TO-247 Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 273-7441
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW20N65R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-7441
- Herst. Teile-Nr.:
- IHW20N65R5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 20A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.35V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 21.1mm | |
| Normen/Zulassungen | JESD-022, RoHS | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 20A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Gehäusegröße PG-TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.35V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 21.1mm | ||
Normen/Zulassungen JESD-022, RoHS | ||
Höhe 5.21mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der IGBT von Infineon ist ein rückwärts leitender IGBT mit monolithischer Body-Diode. Dieser IGBT verfügt über eine leistungsstarke monolithische Sperrschichtdiode mit niedriger Durchlassspannung und ist gemäß JESD022 für Zielanwendungen qualifiziert. Aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten von VCEsat ist er leicht parallel schaltbar. Dieser IGBT wird für Induktionskochherde, Mikrowellenherde mit Inverterzündung und Resonanzwandler empfohlen.
Geringe EMI
Halogenfrei
RoHS-konform
Hohe Robustheit
Pb-freie Bleibeschichtung
Stabiles Temperaturverhalten
Sehr niedrige VCEsat und niedriger Eoff
Sehr enge Parameterverteilung
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