Infineon IGBT-Modul / 295 A, 1.2 kV 1.05 kW, 7-Pin 62MM-Modul Typ N-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 838-6891
- Herst. Teile-Nr.:
- FF200R12KE3HOSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 295A | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1.2kV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.05kW | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Gehäusegröße | 62MM-Modul | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.15V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Höhe | 29mm | |
| Serie | FF200R12KE3 | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 106.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 295A | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1.2kV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.05kW | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Gehäusegröße 62MM-Modul | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 7 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.15V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Höhe 29mm | ||
Serie FF200R12KE3 | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 106.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
IGBT-Module, Infineon
Die IGBT-Module von Infineon bieten einen niedrigen Schaltverlust beim Schalten mit Frequenzen von bis zu 60 kHz.
Die IGBTs umspannen eine Reihe von Versorgungsmodulen wie die ECONOPACK-Gehäuse mit Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V, PrimePACK-IGBT-Halbbrücken-Choppermodule mit NTC bis 1600/1700 V. Die PrimePACK-IGBTs werden in industriellen, kommerziellen, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeugen verwendet. Die N-Channel TRENCHSTOP TM- und Fieldstop-IGBT-Module sind für hartes Schalten und weiches Schalten wie in Wechselrichtern, USV und industriellen Antrieben geeignet.
Gehäuseausführungen umfassen: 62-mm-Modul, EasyPack, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
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