Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal

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862-9353
Herst. Teile-Nr.:
ISL9V3040S3ST
Marke:
Fairchild Semiconductor
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Marke

Fairchild Semiconductor

Dauer-Kollektorstrom max.

21 A

Kollektor-Emitter-Spannung

450 V

Gate-Source Spannung max.

±14V

Verlustleistung max.

150 W

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

10.67 x 9.65 x 4.83mm

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor



IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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