STMicroelectronics Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 500 V / 17 A 190 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 151-441
- Herst. Teile-Nr.:
- STP20NK50Z
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | CHF.2.835 | CHF.141.75 |
| 500 + | CHF.2.688 | CHF.134.66 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 151-441
- Herst. Teile-Nr.:
- STP20NK50Z
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.27Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 119nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 190W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.27Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 119nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 190W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der Super MESH-Technologie entwickelt, die durch die Optimierung des bewährten Power MESH-Layouts erreicht wurde. Zusätzlich zu einer deutlichen Reduzierung des Einschaltwiderstands wurde dieses Gerät so konzipiert, dass es ein hohes Maß an dv/dt-Fähigkeit für die anspruchsvollsten Anwendungen gewährleistet.
100% Avalanche-getestet
Minimierung der Gate-Ladung
Sehr niedrige intrinsische Kapazität
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