STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10,5 A 190 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
687-5263
Herst. Teile-Nr.:
STP12NK80Z
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

10,5 A

Drain-Source-Spannung max.

800 V

Serie

MDmesh, SuperMESH

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

750 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

190 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Breite

4.6mm

Länge

10.4mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

87 nC @ 10 V

Höhe

9.15mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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