STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 10.5 A 190 W, 3-Pin

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RS Best.-Nr.:
168-6691
Herst. Teile-Nr.:
STP12NK80Z
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

SuperMESH

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.75Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

87nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Verlustleistung Pd

190W

Durchlassspannung Vf

1.6V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4.6 mm

Länge

10.4mm

Höhe

9.15mm

Normen/Zulassungen

ECOPACK

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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