STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 10.5 A 190 W, 3-Pin

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
168-6691
Herst. Teile-Nr.:
STP12NK80Z
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

SuperMESH

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.75Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.6V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

87nC

Maximale Verlustleistung Pd

190W

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

ECOPACK

Höhe

9.15mm

Länge

10.4mm

Breite

4.6 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


Verwandte Links

Recently viewed