STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 10 A 125 W, 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 168-6101
- Herst. Teile-Nr.:
- STP11NK50Z
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.85.35
Vorübergehend ausverkauft
- 1'800 Einheit(en) mit Versand ab 18. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.707 | CHF.85.45 |
| 100 - 450 | CHF.1.323 | CHF.66.31 |
| 500 - 950 | CHF.1.131 | CHF.56.46 |
| 1000 - 4950 | CHF.0.929 | CHF.46.46 |
| 5000 + | CHF.0.889 | CHF.44.24 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 168-6101
- Herst. Teile-Nr.:
- STP11NK50Z
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | SuperMESH | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.52Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 49nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 9.15mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Normen/Zulassungen | ECOPACK, JEDEC JESD97 | |
| Breite | 4.6 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie SuperMESH | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.52Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 49nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 9.15mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Normen/Zulassungen ECOPACK, JEDEC JESD97 | ||
Breite 4.6 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 10 A 125 W, 3-Pin
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 5.2 A 125 W, 3-Pin
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche SuperMESH-Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 4 A 70 W, 3-Pin
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 10.5 A 190 W, 3-Pin
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Oberfläche MDmesh II Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 17 A 125 W, 3-Pin
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Zener-geschützter SuperMESH-MOSFET Erweiterung 600 V / 10 A
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 4.4 A, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 14 A, 3-Pin TO-247