STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, Oberfläche MDmesh II Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 17 A 125 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 168-7555
- Herst. Teile-Nr.:
- STB23NM50N
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*
CHF 1'798.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 02. Februar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1000 + | CHF 1.798 | CHF 1'793.76 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 168-7555
- Herst. Teile-Nr.:
- STB23NM50N
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MDmesh II Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | MDmesh | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.19Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 45nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -25V, +25V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.75mm | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Breite | 10.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MDmesh II Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie MDmesh | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.19Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -25V, +25V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.75mm | ||
Höhe 4.6mm | ||
Breite 10.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Oberfläche MDmesh II Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 17 A 125 W, 3-Pin
- STMicroelectronics MDmesh M5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MDmesh V Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 12 A 90 W,
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 17 A 125 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 17 A 125 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 11 A, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics MDmesh M2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 8 A 25 W, 3-Pin
- STMicroelectronics STB11NM80 Typ N-Kanal, Oberfläche MDmesh-Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 11 A 150 W, 3-Pin
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 5 A 45 W, 3-Pin IPAK