STMicroelectronics MDmesh M2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 8 A 25 W, 3-Pin

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
168-8832
Herst. Teile-Nr.:
STF12N65M2
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

MDmesh M2

Gehäusegröße

TO-220FP

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

25W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16.5nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±25 V

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.4mm

Breite

4.6 mm

Höhe

16.4mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics


Eine Serie von Hochspannungsleistungs-MOSFETs von STMicroelecronics. Mit ihrer geringen Gate-Ladung und der ausgezeichneten Ausgangskapazität eignet sich die Serie MDmesh M2 perfekt für den Einsatz in Resonanzschaltnetzgeräten (LLC-Wandler).

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


Verwandte Links