STMicroelectronics Einfach MDmesh M2 Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 650 V Erweiterung / 12 A 110 W, 3-Pin

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RS Best.-Nr.:
876-5691
Herst. Teile-Nr.:
STP18N65M2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

MDmesh M2

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

-25/25 V

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4.6 mm

Länge

10.4mm

Höhe

15.75mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MDmeshTM Serie M2, STMicroelectronics


Eine Serie von Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs von STMicroelecronics. Mit ihrer niedrigen Gate-Ladung und ihren ausgezeichneten Ausgangskapazitätseigenschaften eignet sich die MDmesh M2-Serie perfekt für den Einsatz in Schaltnetzteilen des Resonanztyps (LLC-Wandler).

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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