STMicroelectronics MDmesh M2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 13 A 110 W, 3-Pin STB18N60M2 TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.8.98

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2’745 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 +CHF.1.796CHF.8.97

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
792-5707
Herst. Teile-Nr.:
STB18N60M2
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

MDmesh M2

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

280mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

21.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.4mm

Höhe

4.6mm

Breite

9.35 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics


Eine Serie von Hochspannungsleistungs-MOSFETs von STMicroelecronics. Mit ihrer geringen Gate-Ladung und der ausgezeichneten Ausgangskapazität eignet sich die Serie MDmesh M2 perfekt für den Einsatz in Resonanzschaltnetzgeräten (LLC-Wandler).

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


Verwandte Links