STMicroelectronics SuperMESH N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 3 A, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 151-900P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD4NK80ZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 151-900P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD4NK80ZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Breite | 6.6mm | |
| Länge | 10.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie SuperMESH | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 2.4mm | ||
Breite 6.6mm | ||
Länge 10.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist ein Hochspannungsgerät mit zenergeschütztem N-Kanal, das mit der SuperMESH-Technologie entwickelt wurde, einer Optimierung des etablierten PowerMESH. Neben einer erheblichen Reduzierung des Widerstands im eingeschalteten Zustand ist dieses Gerät so konzipiert, dass eine hohe dv/dt-Fähigkeit für die anspruchsvollsten Anwendungen gewährleistet ist.
Gate-Ladung minimiert
Sehr niedrige innere Kapazität
Zener-geschützt