STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 151-907
- Herst. Teile-Nr.:
- STD12NF06LT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.778 | CHF.7.74 |
| 100 - 240 | CHF.0.737 | CHF.7.33 |
| 250 - 490 | CHF.0.677 | CHF.6.81 |
| 500 - 990 | CHF.0.626 | CHF.6.26 |
| 1000 + | CHF.0.606 | CHF.6.02 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 151-907
- Herst. Teile-Nr.:
- STD12NF06LT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | STripFET II | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 90mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±16 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 6.6 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 10.1mm | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie STripFET II | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 90mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±16 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 6.6 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 10.1mm | ||
Höhe 2.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde speziell zur Minimierung der Eingangskapazität und der Gate-Ladung entwickelt. Dadurch eignet sich der Baustein für den Einsatz als Primärschalter in fortschrittlichen isolierten DC-DC-Wandlern mit hohem Wirkungsgrad für Telekommunikations- und Computeranwendungen sowie für Anwendungen mit geringen Anforderungen an die Gate-Ladung.
Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit
100% Avalanche-getestet
Niedrige Gate-Ladung
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