STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 100 V / 25 A 100 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:
151-916
Herst. Teile-Nr.:
STD25NF10T4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

STripFET II

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

38Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

55nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Die Power MOSFET-Serie von STMicroelectronics wurde mit dem STripFET-Prozess entwickelt, der speziell entwickelt wurde, um die Eingangskapazität und die Gate-Ladung zu minimieren. Dadurch ist das Gerät für den Einsatz als Primärschalter in fortschrittlichen hocheffizienten isolierten DC/DC-Wandlern für Telekommunikations- und Computeranwendungen geeignet.

Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit

100 % Avalanche-getestet

Niedrige Gate-Ladung

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