STMicroelectronics STripFET F6 Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 60 V / 35 A 70 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 151-912
- Herst. Teile-Nr.:
- STD35P6LLF6
- Marke:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.808 | CHF.9.03 |
| 50 - 95 | CHF.1.717 | CHF.8.60 |
| 100 - 495 | CHF.1.596 | CHF.7.98 |
| 500 - 995 | CHF.1.465 | CHF.7.32 |
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- RS Best.-Nr.:
- 151-912
- Herst. Teile-Nr.:
- STD35P6LLF6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 35A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | STripFET F6 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.028Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 70W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 35A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie STripFET F6 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.028Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 70W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der P-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics, der mit der STripFET-F6-Technologie entwickelt wurde, mit einer neuen Trunking-Gate-Struktur. Der resultierende Leistungs-MOSFET weist in allen Gehäusen einen sehr niedrigen RDS(on) auf.
Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Sehr niedrige Gate-Ladung
Hohe Lawinenbeständigkeit
Geringer Leistungsverlust bei Gate-Antrieb
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