STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A 70 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 165-6582
- Herst. Teile-Nr.:
- STD80N4F6
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 165-6582
- Herst. Teile-Nr.:
- STD80N4F6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 70W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.6mm | |
| Breite | 6.2 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 70W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.6mm | ||
Breite 6.2 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
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