STMicroelectronics MDmesh K5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 21 A, 3-Pin H2PAK-2
- RS Best.-Nr.:
- 151-913
- Herst. Teile-Nr.:
- STH13N120K5-2AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*
CHF.7’403.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 19. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1000 + | CHF.7.403 | CHF.7’404.60 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 151-913
- Herst. Teile-Nr.:
- STH13N120K5-2AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | MDmesh K5 | |
| Gehäusegröße | H2PAK-2 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.69Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 44.2nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 4.7mm | |
| Länge | 15.8mm | |
| Breite | 10.4 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie MDmesh K5 | ||
Gehäusegröße H2PAK-2 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.69Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 44.2nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 4.7mm | ||
Länge 15.8mm | ||
Breite 10.4 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit MDmesh K5-Technologie entwickelt, die auf einer innovativen, proprietären vertikalen Struktur basiert. Das Ergebnis ist eine dramatische Verringerung des Widerstands und eine extrem niedrige Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.
AEC Q101 qualifiziert
Niedrigster RDS(on) x Bereich der Branche
Bestes FoM der Branche
Extrem niedrige Gate-Ladung
100 % Avalanche-getestet
Zenergeschützt
Verwandte Links
- STMicroelectronics MDmesh K5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 21 A, 3-Pin STH13N120K5-2AG H2PAK-2
- STMicroelectronics MDmesh K5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 1.5 A, 3-Pin STH2N120K5-2AG H2PAK-2
- STMicroelectronics MDmesh K5 Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 1200 V / 6 A 130 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh K5 Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 1200 V / 6 A 130 W, 3-Pin STW8N120K5 TO-247
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 7 A, 3-Pin STH12N120K5-2AG Band und Rolle
- STMicroelectronics MDmesh K5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 950 V / 9 A 25 W, 3-Pin STF6N95K5
- STMicroelectronics MDmesh K5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 950 V / 9 A, 3-Pin STD6N95K5 TO-252
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1500 V / 2.5 A 140 W, 3-Pin H2PAK