STMicroelectronics HB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V 250 W, 9-Pin ACEPACK SMIT
- RS Best.-Nr.:
- 152-183
- Herst. Teile-Nr.:
- STGSH80HB65DAG
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF.18.725
Auf Lager
- Zusätzlich 200 Einheit(en) mit Versand ab 27. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF 18.73 |
| 10 - 99 | CHF 17.28 |
| 100 - 199 | CHF 17.08 |
| 200 + | CHF 16.87 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 152-183
- Herst. Teile-Nr.:
- STGSH80HB65DAG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | HB | |
| Gehäusegröße | ACEPACK SMIT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 456nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.05mm | |
| Länge | 25.2mm | |
| Normen/Zulassungen | Automotive-grade | |
| Breite | 33.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie HB | ||
Gehäusegröße ACEPACK SMIT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 9 | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Durchlassspannung Vf 1.9V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 456nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.05mm | ||
Länge 25.2mm | ||
Normen/Zulassungen Automotive-grade | ||
Breite 33.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das Gerät von STMicroelectronics kombiniert zwei IGBTs und Dioden in einer Halbbrückentopologie, die auf einem sehr kompakten und robusten Gehäuse montiert ist, das leicht auf der Oberfläche montiert werden kann. Das Gerät ist Teil der IGBTs der Serie HB, die sowohl in der Leitfähigkeit als auch in den Schaltverlusten für sanfte Schaltung optimiert sind. Eine Freilaufdiode mit einer geringen Abwärtsspannung ist in jedem Schalter enthalten.
AQG 324 qualifiziert
Hochgeschwindigkeits-Schalterserie
Minimierter Schwanzstrom
Enge Parameterverteilung
Geringer Wärmewiderstand dank DBC-Substrat
Verwandte Links
- STMicroelectronics HB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V 250 W, 9-Pin ACEPACK SMIT
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V / 32 A, 3-Pin ACEPACK SMIT
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V / 64 A, 3-Pin ACEPACK SMIT
- STMicroelectronics MDmesh DM6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 53 A 424 W, 8-Pin ACEPACK SMIT
- STMicroelectronics SCR Thyristoren 60 A ACEPACK SMIT 1200 V, Gate-Trigger 50 mA 525 A 10 V
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Entleerung / 95 A 360 W, 7-Pin H2PAK
- STMicroelectronics ST Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 650 V Entleerung / 68 A 450 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 650 V Entleerung / 45 A 240 W, 3-Pin Hip-247