IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 600 V / 40 A 625 W, 4-Pin SOT-227

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IXFN48N60P
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

HiperFET, Polar

Gehäusegröße

SOT-227

Montageart

Panel

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

140mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

625W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

150nC

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

9.6mm

Breite

25.42mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

38.23mm

Automobilstandard

Nein

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