STMicroelectronics SCT025H120G3AG N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 55 A, 7-Pin H2PAK-7
- RS Best.-Nr.:
- 214-951
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT025H120G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
- RS Best.-Nr.:
- 214-951
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT025H120G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 55 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 1200 V | |
| Gehäusegröße | H2PAK-7 | |
| Serie | SCT025H120G3AG | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Transistor-Werkstoff | SiC | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 55 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 1200 V | ||
Gehäusegröße H2PAK-7 | ||
Serie SCT025H120G3AG | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 7 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Transistor-Werkstoff SiC | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen
Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode
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