STMicroelectronics SCT025H120G3AG N-Kanal, Oberfläche MOSFET 1.2 kV Erweiterung / 55 A 375 W, 7-Pin H2PAK-7
- RS Best.-Nr.:
- 214-951
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT025H120G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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- Marke:
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Serie | SCT025H120G3AG | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 1.2 kV | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 55 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 375 W | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Gehäusegröße | H2PAK-7 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Durchlassspannung (Vf) | 2.7 V | |
| Höhe | 4.8 mm | |
| Länge | 15.25 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 27 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 22 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, RoHS | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 73 nC | |
| Breite | 10.4 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Serie SCT025H120G3AG | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 1.2 kV | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 55 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 375 W | ||
Pinanzahl 7 | ||
Gehäusegröße H2PAK-7 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Durchlassspannung (Vf) 2.7 V | ||
Höhe 4.8 mm | ||
Länge 15.25 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 27 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 22 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, RoHS | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 73 nC | ||
Breite 10.4 mm | ||
- Ursprungsland:
- CN
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
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