STMicroelectronics SCT025H120G3AG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 55 A 375 W, 7-Pin H2PAK-7
- RS Best.-Nr.:
- 214-952
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT025H120G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.26.715
Auf Lager
- Zusätzlich 1'000 Einheit(en) mit Versand ab 30. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.26.72 |
| 10 - 99 | CHF.24.04 |
| 100 + | CHF.22.17 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-952
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT025H120G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | H2PAK-7 | |
| Serie | SCT025H120G3AG | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 27mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 73nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 2.7V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.8mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, RoHS | |
| Länge | 15.25mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße H2PAK-7 | ||
Serie SCT025H120G3AG | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 27mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 73nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 2.7V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.8mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, RoHS | ||
Länge 15.25mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen
Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode
Verwandte Links
- STMicroelectronics SCT025H120G3AG N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 55 A, 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT, Oberfläche MOSFET 1200 V / 55 A 375 W H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT, Oberfläche MOSFET 1200 V / 55 A 375 W H2PAK-7 SCT025H120G3-7
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V Erweiterung / 30 A, 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 30 A 224 W, 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 40 A 300 W, 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 30 A 224 W, 7-Pin SCT070H120G3-7 H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 40 A 300 W, 7-Pin SCT040H120G3AG H2PAK-7