STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 40 A 300 W, 7-Pin H2PAK-7
- RS Best.-Nr.:
- 215-232
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT040H120G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | SCT | |
| Gehäusegröße | H2PAK-7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 40mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 54nC | |
| Durchlassspannung Vf | 2.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.8mm | |
| Länge | 15.25mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, RoHS | |
| Breite | 10.4 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie SCT | ||
Gehäusegröße H2PAK-7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 40mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 54nC | ||
Durchlassspannung Vf 2.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.8mm | ||
Länge 15.25mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, RoHS | ||
Breite 10.4 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der dritten Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen
Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode
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