STMicroelectronics SCT N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 30 A 224 W, 7-Pin H2PAK-7
- RS Best.-Nr.:
- 214-961
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT070H120G3-7
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 214-961
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT070H120G3-7
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | SCT | |
| Gehäusegröße | H2PAK-7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 63mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Durchlassspannung Vf | 3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 224W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 10.4mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 15.25mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie SCT | ||
Gehäusegröße H2PAK-7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 63mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Durchlassspannung Vf 3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 224W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 10.4mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 15.25mm | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung
Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode
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