STMicroelectronics Sct N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 55 A 385 W, 7-Pin H2PAK-7
- RS Best.-Nr.:
- 719-465
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT018H65G3-7
- Marke:
- STMicroelectronics
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- Herst. Teile-Nr.:
- SCT018H65G3-7
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | H2PAK-7 | |
| Serie | Sct | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 385W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 79.4nC | |
| Durchlassspannung Vf | 2.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 15.25mm | |
| Höhe | 4.8mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße H2PAK-7 | ||
Serie Sct | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 385W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 79.4nC | ||
Durchlassspannung Vf 2.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 15.25mm | ||
Höhe 4.8mm | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das Siliziumkarbid-Power-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode
Sehr niedriger RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung
Sensor-Stift für erhöhte Effizienz
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