STMicroelectronics IGBT / 108 A, 650 V 385 W, 7-Pin H2PAK-7 Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
330-362
Herst. Teile-Nr.:
GH50H65DRB2-7AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

108A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

385W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

H2PAK-7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.8mm

Länge

15.25mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Die neueste IGBT 650 HB2-Serie von STMicroelectronics stellt eine Weiterentwicklung der fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Feldstopp-Struktur dar. Die Leistung der HB2-Serie ist dank eines besseren VCE(sat)-Verhaltens bei niedrigen Stromwerten und einer geringeren Schaltenergie optimiert.

AEC-Q101 qualifiziert

Maximale Sperrschichttemperatur TJ gleich 175 °C

Serie von Hochgeschwindigkeitsschaltern

Minimierter Schwanzstrom

Enge Parameterverteilung

Niedriger Wärmewiderstand

Positiver Temperaturkoeffizient VCE(sat)

Co-packed mit hochfester Gleichrichterdiode

Hervorragende Schaltleistung dank des zusätzlichen treibenden Kelvin-Stifts

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