STMicroelectronics IGBT / 30 A, 650 V 260 W H2PAK-2 Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
248-4893
Herst. Teile-Nr.:
STGH30H65DFB-2AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

30A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

260W

Gehäusegröße

H2PAK-2

Montageart

Durchsteckmontage

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.55V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

15.8 mm

Serie

STGH30H65DFB

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

10.4mm

Höhe

4.7mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Das STMicroelectronics-Produkt ist ein IGBT, das mit einer fortschrittlichen proprietären Trench Gate Field Stop-Struktur entwickelt wurde. Das Gerät ist Teil der neuen HB-Serie von IGBTs, die einen optimalen Kompromiss zwischen Leitung und Schaltverlust darstellt, um den Wirkungsgrad eines beliebigen Frequenzwandlers zu maximieren. Darüber hinaus führen ein leicht positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient und eine sehr enge Parameterverteilung zu einem sicheren Parallelbetrieb.

AEC-Q101-qualifiziert

Hochgeschwindigkeits-Schaltreihe

Sicherere Parallelität

Enge Parameterverteilung

Geringer Wärmewiderstand

Weiche und sehr schnelle Antiparalleldiode

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