STMicroelectronics IGBT / 30 A ±20V max. , 650 V 260 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 202-5514
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA30HP65FB
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 202-5514
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- STGWA30HP65FB
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 30 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 260 W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Single & Common Emitter | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 30 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 260 W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Single & Common Emitter | ||
Der Hochgeschwindigkeits-IGBT der Serie STMicroelectronics HB wurde mit einer Advanced-eigenen Trench Gate Fieldstop-Struktur entwickelt. Das Gerät ist Teil der neuen Serie HB von IGBTs, die einen optimalen Kompromiss zwischen Leitfähigkeit und Schaltverlust darstellt, um den Wirkungsgrad jedes Frequenzumrichters zu maximieren.
Niedriger Wärmewiderstand
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