STMicroelectronics IGBT / 30 A, 650 V 260 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 202-5515
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA30HP65FB
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.15.20
Auf Lager
- Zusätzlich 10 Einheit(en) mit Versand ab 01. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | CHF.3.04 | CHF.15.19 |
| 10 + | CHF.2.586 | CHF.12.91 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 202-5515
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA30HP65FB
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 30A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 260W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 15.9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | STG | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 30A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 260W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 15.9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie STG | ||
Höhe 5.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Hochgeschwindigkeits-IGBT der Serie STMicroelectronics HB wurde mit einer Advanced-eigenen Trench Gate Fieldstop-Struktur entwickelt. Das Gerät ist Teil der neuen Serie HB von IGBTs, die einen optimalen Kompromiss zwischen Leitfähigkeit und Schaltverlust darstellt, um den Wirkungsgrad jedes Frequenzumrichters zu maximieren.
Niedriger Wärmewiderstand
Sehr schnelle antiparallele Diode mit weicher Erholung
Verwandte Links
- STMicroelectronics IGBT / 30 A, 650 V 260 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT, 650 V 469 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT / 30 A, 600 V 260 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT / 80 A, 650 V 375 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT / 80 A, 650 V 283 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT / 40 A, 650 V 147 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT / 60 A, 650 V 108 W, 4-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT / 115 A, 650 V 357 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage