STMicroelectronics IGBT / 60 A 20V max. , 650 V 260 W H2PAK-2
- RS Best.-Nr.:
- 248-4894
- Herst. Teile-Nr.:
- STGH30H65DFB-2AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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| 10 - 24 | CHF.3.19 |
| 25 - 49 | CHF.2.86 |
| 50 + | CHF.2.71 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 248-4894
- Herst. Teile-Nr.:
- STGH30H65DFB-2AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 60 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | 20V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Verlustleistung max. | 260 W | |
| Konfiguration | Single | |
| Gehäusegröße | H2PAK-2 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 60 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. 20V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Verlustleistung max. 260 W | ||
Konfiguration Single | ||
Gehäusegröße H2PAK-2 | ||
Das STMicroelectronics-Produkt ist ein IGBT, das mit einer fortschrittlichen proprietären Trench Gate Field Stop-Struktur entwickelt wurde. Das Gerät ist Teil der neuen HB-Serie von IGBTs, die einen optimalen Kompromiss zwischen Leitung und Schaltverlust darstellt, um den Wirkungsgrad eines beliebigen Frequenzwandlers zu maximieren. Darüber hinaus führen ein leicht positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient und eine sehr enge Parameterverteilung zu einem sicheren Parallelbetrieb.
AEC-Q101-qualifiziert
Hochgeschwindigkeits-Schaltreihe
Sicherere Parallelität
Enge Parameterverteilung
Geringer Wärmewiderstand
Weiche und sehr schnelle Antiparalleldiode
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Sicherere Parallelität
Enge Parameterverteilung
Geringer Wärmewiderstand
Weiche und sehr schnelle Antiparalleldiode
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