STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 60 A 300 W, 7-Pin H2PAK-7
- RS Best.-Nr.:
- 214-955
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT027H65G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF.12.373
Auf Lager
- 1'000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF 12.37 |
| 10 - 99 | CHF 11.44 |
| 100 - 999 | CHF 11.31 |
| 1000 + | CHF 11.17 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-955
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT027H65G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | SCT | |
| Gehäusegröße | H2PAK-7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 29mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 2.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 48.6nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 10.4mm | |
| Höhe | 4.8mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101 | |
| Länge | 15.25mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie SCT | ||
Gehäusegröße H2PAK-7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 29mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 2.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 48.6nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 10.4mm | ||
Höhe 4.8mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101 | ||
Länge 15.25mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen
Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode
Verwandte Links
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 55 A 385 W, 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics Sct N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 55 A 385 W, 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 40 A 300 W, 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V Erweiterung / 30 A, 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 30 A 224 W, 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 900 V / 110 A 625 W, 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Entleerung / 95 A 360 W, 7-Pin H2PAK
- STMicroelectronics SCT, Oberfläche MOSFET 1200 V / 55 A 375 W H2PAK-7